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三星今天(11月7日)宣布開始量產(chǎn)第8代V-NAND閃存芯片,堆到了236層。
上一代V-NAND其實只有176層,已經(jīng)用在了旗艦SSD固態(tài)盤990 PRO上。
關于第八代V-NAND,有兩點值得一說,一是三星介紹單芯片現(xiàn)在可以做到1Tb,也就是256GB的超大容量。二是這次依然是TLC顆粒(3 bits/cell)。
其實,部分廠商在進入到150+層的階段后,開始大肆制造更具成本效益的QLC顆粒,好在這次堅守住了底線。
關鍵詞: 三星守住底線 最新一代236層閃存 TLC顆粒 旗艦SSD固態(tài)盤
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