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近日,英特爾宣布已開始采用極紫外光刻(EUV)技術(shù)大規(guī)模量產(chǎn)(HVM)Intel 4制程節(jié)點。Intel 4大規(guī)模量產(chǎn)的如期實現(xiàn),再次證明了英特爾正以強大的執(zhí)行力推進“四年五個制程節(jié)點”計劃,并將其應(yīng)用于新一代的領(lǐng)先產(chǎn)品,滿足AI推動下“芯經(jīng)濟”指數(shù)級增長的算力需求。
作為英特爾首個采用極紫外光刻技術(shù)生產(chǎn)的制程節(jié)點,Intel 4與先前的節(jié)點相比,在性能、能效和晶體管密度方面均實現(xiàn)了顯著提升。極紫外光刻技術(shù)正在驅(qū)動著算力需求最高的應(yīng)用,如AI、先進移動網(wǎng)絡(luò)、自動駕駛及新型數(shù)據(jù)中心和云應(yīng)用。此外,對于英特爾順利實現(xiàn)其“四年五個制程節(jié)點”計劃,及在2025年重獲制程領(lǐng)先性而言,極紫外光刻技術(shù)也起著關(guān)鍵作用。
英特爾公司首席執(zhí)行官帕特·基辛格表示:“我為英特爾團隊以及客戶、供應(yīng)商和合作伙伴感到驕傲,我們一起將Intel 4制程節(jié)點的大規(guī)模量產(chǎn)變?yōu)楝F(xiàn)實,在重獲制程領(lǐng)先性的道路上穩(wěn)步前進?!?/p>
英特爾“四年五個制程節(jié)點”計劃正在順利推進中。目前,Intel 7和Intel 4已實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn);Intel 3正在按計劃推進,目標(biāo)是2023年底;采用RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)的Intel 20A和Intel 18A同樣進展順利,目標(biāo)是2024年。英特爾將于不久后推出面向英特爾代工服務(wù)(IFS)客戶的Intel 18A制程設(shè)計套件(PDK)。
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