這幾年,臺(tái)積電在新工藝進(jìn)展上一路突飛猛進(jìn),三星也不甘示弱,規(guī)劃了各種新工藝,但無論技術(shù)還是進(jìn)度都慢了不少。眼下,兩家都在加速?zèng)_向5nm工藝。
三星、ARM、新思科技(Synopsys)聯(lián)合宣布,已經(jīng)開發(fā)了一整套優(yōu)化工具和IP,可讓芯片廠商基于三星5nm工藝,快速打造基于ARM Herculues CPU核心的芯片。
三星5nm工藝編號(hào)5LPE,也就是5nm Low Power Early,其實(shí)是三星7nm工藝(7LPP)的第三代增強(qiáng)版(第二代是6nm 6LPP),加入EUV極紫外光刻,號(hào)稱邏輯效率提升最多25%,同等性能和密度下功耗降低20%,同等功耗和密度下性能提升10%。
由于一脈相承,芯片廠商可以重新利用三星7LPP IP,以加速5LPE芯片的開發(fā),當(dāng)然要想發(fā)揮其全部潛力,優(yōu)化的新工具和IP必不可少,ARM也會(huì)向三星5LPE提供物理IP和POP IP,幫助客戶快速開發(fā)新品。
三星計(jì)劃今年下半年完成5nm工藝流片,明年上半年投入量產(chǎn)。